12月28日，“2021硬核中國核心評選頒獎盛典”在線舉行。 比亞迪半導體因學習核心“核心”技術，倡導自主創新，榮獲“2021[敏感詞]影響力IC設計企業獎”。 同時，參賽的IGBT 5.0芯片憑借出色的性能和精良的版圖設計榮獲“2021年度[敏感詞]功率芯片獎”。 

2021年度[敏感詞]影響力IC設計企業獎

2021年度[敏感詞]功率芯片獎

本次評選匯聚百余家國內半導體知名企業，由40萬工程師、40位專家評委在線評分/投票決出，采取“五大維度+雙審制”的嚴謹評審制度，共同發掘[敏感詞]實力的優秀中國芯企業與產品。

圖片來源：芯師爺

比亞迪半導體主要從事功率半導體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導體、制造及服務，產品廣泛應用于汽車、能源、工業、消費電子等領域。得益于國家對集成電路產業的大力推動，近幾年國內半導體企業發展增速。比亞迪半導體專注產品設計，于細微處見精湛技藝，只為造就一流產品。卓越設計能力、高水準服務及專業化品質，使其繼連續多年榮獲2021中國IC設計成就獎之“十大中國IC設計公司”之后，再度榮膺行業獎項“2021年度[敏感詞]影響力IC設計企業獎”。

比亞迪半導體榮獲2021年度[敏感詞]影響力IC設計企業獎

▌綜合特性優異  IGBT5.0實力突圍

據Omdia數據統計，功率器件市場規模在2024年將增長到172億美元，相比2020年將近有18%的增長率，國產功率器件廠商迎來新機遇。

自2002年進入半導體領域以來，比亞迪半導體在2009年便推出國內[敏感詞]自主研發的 IGBT 芯片，2018年推出 IGBT4.0 芯片并樹立國內中高端車用IGBT新標桿。

本次參評的IGBT5.0——Trecnch FS IGBT采用了微溝槽結構及復合場中止技術，實現了超低的導通損耗和開關損耗，并且由于經過[敏感詞]調教的復合場終止技術，實現了軟關斷。該產品性能與國際同類型產品性能相當，Vcesat、Eoff、可靠性等參數均國內領先。IGBT5.0晶元厚度低于75μm，電流密度超過260A/cm2，VCEsat低于1.4V，關斷損耗低于0.04A/mJ，模塊產品[敏感詞]輸出功率高達180KW。目前，其已批量應用于內、外部新能源汽車以及國內知名商業空調、變頻空調領域。

比亞迪半導體榮獲2021年度[敏感詞]功率芯片獎

IGBT5.0的優異性能來源于其將溝槽柵密度提升了5倍以上，并對元胞進行了精妙的布局設計，結合優化的復合場終止結構，使得其綜合特性及能耗接近國際上[敏感詞]的微溝槽IGBT。

IGBT5.0芯片

企業只有掌握核心技術，才能在激烈的市場競爭中脫穎而出。作為國內領先的高效、智能、集成新型半導體企業，比亞迪半導體擁有完善的產業布局，以解決客戶痛難點為導向，以技術創新為驅動，提供車規級半導體整體解決方案，不斷在新產品研發、應用平臺建設及提高生產能力等方面取得積極成效，并始終與上下游企業用心締造“中國芯”，助力國內半導體產業崛起！

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