氧化鎵商業化，邁出重要一步

半導體行業觀察|其他|other else|

2023-04-10 08:11:10 916

日本新能源產業技術綜合開發機構（NEDO）4月6日宣布，作為NEDO推動的“戰略節能技術創新計劃”的一部分，Novel Crystal Technology正在致力于β-Ga2O3肖特基勢壘二極管的商業化開發。宣布已成功確認氧化鎵 (β-Ga2O3) 肖特基勢壘二極管 (SBD)的運行。

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導體，日本和海外正在進行研究和開發。在這種情況下，Novel Crystal Technology將在3O2的β-Ga2O3肖特基勢壘二極管商業化項目上致力于商業化本產品的開發，這次，他們決定將正在開發的β-Ga2O3 SBD安裝在電流連續型PFC（功率因數校正）電路中，并對其進行實際使用評估。

具體地，在350W輸出電源的PFC電路中安裝了β-Ga2O3 SBD，進行了連續電流工作的演示測試。結果反向加了390V的電壓，此后，當電壓從反向切換到正向時，電流流過二極管正向時的電流波形就變成了梯形波*大8A.據說電流連續運行得到確認。在測試中，他們還檢查了反向恢復特性，并將電路的輸出功率與輸入功率之比（功率轉換效率）與廣泛用于相同目的的硅快速恢復二極管（Si FRD）進行了比較。經證實，與 Si FRD 相比，β-Ga2O3 SBD 的效率提高了 1%。

Novel Crystal Technology正在著手建立新開發的該公司還計劃開發β-Ga2O3 SBD 。此外，將利用該開發成果進行反型MOS晶體管的研究和開發。

成功量產4吋氧化鎵晶圓

在2021年，日本半導體企業Novel Crystal Technology成功量產4吋氧化鎵晶圓，并于今年開始供應客戶晶圓，使得日本在第三代化合物半導體競賽中再度拔得頭籌。該報導指出，該公司成功量產新一代功率半導體材料氧化鎵制成的4吋晶圓，成為全球首家完成量產企業，而且該晶圓可以使用原有4吋晶圓設備制造生產，有效運用過去投資的老設備，對于企業資本支出更有效率，預計2021年內開始供應晶圓。此外，Novel Crystal Technology還計畫在2023年供應6吋晶圓，屆時又將是劃時代突破。

Novel Crystal Technology背景來頭不小，由日本電子零部件企業田村制作所和AGC等出資成立，2017年與田村制作所合作成功開發出全球首創氧化鎵MOS型功率電晶體，大幅降低功耗，僅為傳統MOSFET千分之一；2019年更開發出2吋β型氧化鎵晶圓，不過，由于制造成本高昂，未能被廣泛應用，僅限于實驗室研發。

在寬能隙半導體材料中，氧化鎵具備許多優異特性，如：電子飄移飽和速度快、介電常數小、極高崩潰電壓、熱穩定性好且耐高溫，因此，逐漸成為下一世代重要、且*具潛力寬能隙半導體系列材料，晶圓價格比碳化矽硅晶圓低，而且可以更加高效地控制電力，未來一旦價格來到甜蜜點，可廣泛應用于電動車及太陽能系統，大幅提升能源效率。

到了去年，據日本媒體報道，Novel Crystal Technology計劃投資約為20億日元，向其公司工廠添加設備，到 2025 年，建成年產 20,000 片 100mm（4 英寸）氧化鎵 (Ga2O3) 晶圓生產線。

除了制造和加工氧化鎵單晶基板的設備和檢查設備外，Novel Crystal Technology還將引進用于在晶圓上外延生長氧化鎵的成膜設備，并計劃開發一種可以同時沉積多個晶圓的新設備。

與由硅制成的傳統半導體相比，氧化鎵半導體可以實現器件的功耗降低和高耐壓。其特點是能夠通過熔融法生長塊狀單晶并有效地制造晶體基板。與正在投入實際應用的碳化硅（SiC）等下一代材料相比，晶體生長速度快了約100倍，基板更容易制造，從而顯著降低了成本。

成功開發出高質量第3代氧化鎵

去年四月，日本半導體企業Novel Crystal Technology發表與佐賀大學共同開發了一項相較于既有制品，致命缺陷減少至10分之1之第3代氧化鎵100 mm磊晶晶圓(Epitaxial Wafer)。

擁有比GaN、SiC更大能隙(Bandgap)的氧化鎵(β-Ga2O3)可望成為次世代功率半導體材料。目前Novell Crystal Technology已經開發出能夠形成100 mm之氧化鎵磊晶晶圓的成膜裝置，并展開了第二代氧化鎵100 mm磊晶晶圓的制造與銷售。但由于促使元件耐壓特性劣化的致命缺陷大約有10個/cm2，因此無法制作大型元件，電流值限制在10A左右。

此次則進一步調查致命缺陷的原因，著手展開晶圓高質量化的研究。結果顯示，造成致命缺陷的原因主要是在磊晶成膜過程中產生的特定粉末。研究團隊透過改善磊晶成膜條件，成功地將100 mm磊晶晶圓的致命缺陷降低至10分之1，減少到0.7個/cm2。

研究團隊也實際進行了磊晶晶圓的膜厚分布與施體濃度(Donor Concentration)的測量，確認膜厚分布約為10 μm ± 5%、施體濃度則是1×1016 cm^-3 ± 7%左右，達到應用于功率元件也不會造成問題的水平。另外試作了10×10 mm的肖特基二極管(SBD)，并就其電氣特性與致命缺陷密度進行評估，在正向特性方面，電流從0.8V左右開始流動并上升至一定程度，確認具有正常的正向特性。

此外，由于測量設備的上限，*大電流值僅調查到50A，但研究團隊表示*大可以流通300～500A。而在反向特性方面，確認即使施加約200V，漏電流仍可抑制在約10^-7A左右。今后透過在元件上設置電極終端結構，推估可以實現600～1,200V的耐壓。

此項肖特基二極管試作品的反向特性良率為51%，根據此項數值與實證中使用的電極尺寸推算出致命缺陷密度約為0.7個/cm2。此項結果也意味著將可以80%左右的良率進行100A級氧化鎵功率元件的制造。

目前Novel Crystal Technology也已著手進行第3代氧化鎵100mm磊晶晶圓產線的建置，希望盡早展開銷售，今后則計劃擴大施體濃度與膜厚指定范圍，并致力于致命缺陷的減少與大口徑化的研究開發。

另外，在新能源產業技術總合開發機構(NEDO)的推動事業方面，目前也已成功地進行了導入溝槽結構(Trench Structure)之耐壓1,200V、低功耗氧化鎵肖特基二極管的實證。今后計劃利用此次開發的晶圓，近一步推動1,200V耐壓溝槽型肖特基二極管的量產技術開發。

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