聊聊晶圓和芯片量產階段的full-mask

老虎說芯|Tiger Chip|

2024-09-06 16:29:30 752

在集成電路工藝中，“full-mask”是一個關鍵概念，它涉及到半導體制造過程中掩模版的使用。掩模版是半導體光刻工藝中用于硅片表面圖案化的光學工具。掩模版上有微小的圖案，這些圖案將通過光刻過程轉移到硅片的光刻膠上，從而定義了芯片的功能區(qū)和布線層。

1、掩模版的基本作用

掩模版是用于在晶圓上創(chuàng)建特定圖案的工具。在半導體制造過程中，光刻是關鍵工藝步驟之一，通過曝光、顯影等步驟將掩模版上的圖案轉移到光刻膠上。掩模版的圖案通常代表了一個或多個器件層，如柵極、接觸孔、金屬互連等。

2、掩模版的分類

在集成電路制造中，掩模版可以分為兩種主要類型：

Full-mask（完整掩模版）：覆蓋整個晶圓的掩模版，通常用于完整芯片的曝光。這種掩模版的圖案會精確地覆蓋晶圓的整個曝光區(qū)域，適用于大規(guī)模生產。

Reticle（部分掩模版）：相較于full-mask，reticle通常覆蓋晶圓的一部分，每次曝光后需要移動光學曝光系統(tǒng)的步進掃描儀進行重復曝光，以覆蓋整個晶圓。

圖：reticle

3、Full-mask的詳細定義

Full-mask是指一種完整掩模版，在曝光過程中它一次性覆蓋并暴露整個晶圓或一個大面積區(qū)域的圖案。這種掩模版的優(yōu)勢在于：

效率高：在生產中能夠一次性完成一個或多個芯片區(qū)域的圖案轉移，無需多次曝光，適合量產。
精度高：減少了重復曝光中的對準誤差，提高了圖案的精度和一致性。
成本高：因為其覆蓋范圍廣且圖案復雜，制作full-mask的成本較高，一旦設計發(fā)生更改，需要重新制作掩模版。

4、芯片設計流程

在芯片設計流程中，“full-mask” 通常是指在光刻（lithography）過程中使用完整的掩模版（mask set）。這種掩模版包含芯片制造的所有層級所需的掩模，是用于全芯片制造的完整套裝。芯片設計流程大致包括前端設計、后端設計以及制造三個主要階段：

前端設計（Front-End Design）：包括設計規(guī)格定義、RTL 設計、綜合、功能驗證等。這些步驟主要是對芯片的功能性進行設計。

后端設計（Back-End Design）：包括布局布線、時序分析、功耗優(yōu)化、版圖設計等。這些步驟確保芯片的物理實現(xiàn)符合設計要求。

制造：通過光刻、刻蝕、沉積等工藝步驟，將設計在硅片上實現(xiàn)。

5、掩模版（Mask Set）在芯片制造中的作用

在制造過程中，掩模版是光刻工藝中的關鍵部分。掩模版上包含了芯片設計的每一層的圖案，這些圖案通過光刻工藝被轉移到硅片上。每一層圖案都會定義芯片的某個結構，如柵極、源漏區(qū)、金屬互連等。

Full-Mask：Full-Mask 指的是一整套掩模版，涵蓋芯片制造中所需的所有層次。對于一個完整的芯片制造流程，可能需要幾十甚至上百張掩模版，每張掩模版對應一個工藝步驟（例如不同的金屬層、接觸孔、柵極結構等）。

作用：Full-Mask 用于全量產的生產，這意味著所有掩模都經過驗證，能夠用于大規(guī)模生產，以確保生產的芯片符合設計規(guī)格和質量要求。

6、Full-Mask在芯片生產中的關鍵步驟

設計驗證：在生成掩模版之前，需要對設計進行*的驗證，包括DRC（Design Rule Check），LVS（Layout vs Schematic），以及DFM（Design for Manufacturability）檢查。這些驗證步驟確保設計能夠被制造并達到高良率。

掩模制作：基于驗證通過的設計文件，制作每一層的掩模版。掩模版的制作精度直接影響到*終芯片的特征尺寸和性能。

光刻過程：使用掩模版將設計的圖案轉移到硅片上。這個過程涉及曝光、顯影、刻蝕等多個步驟，精度和對準誤差的控制是確保芯片性能和良率的關鍵。

生產驗證與優(yōu)化：使用 full-mask 進行首批試產，驗證工藝流程和產品性能，確保所有關鍵參數(shù)都在規(guī)格范圍內。如果發(fā)現(xiàn)問題，需要進行工藝優(yōu)化和掩模修正（Mask Revision）。

量產導入：一旦試產驗證通過，full-mask 進入量產階段，確保大批量生產的芯片一致性和性能達到預期。

7、Full-Mask 與 Reticle Limitations

在先進節(jié)點中，由于圖案尺寸的不斷縮小和復雜性增加，可能會遇到掩模視場（reticle field size）限制。為解決這一問題，通常會使用多重曝光（Multi-Patterning）技術，或對設計進行裁剪以適應掩模版的限制。

8、Full-mask的技術挑戰(zhàn)

在先進制程中，隨著節(jié)點尺寸的縮小（如28nm及以下節(jié)點），full-mask的制作變得更加復雜，因為圖案的分辨率和精度要求更高。這種情況下，full-mask的挑戰(zhàn)包括：

光學分辨率限制：掩模圖案需要適應光刻機的分辨率極限，因此通常需要使用OPC（光學鄰近校正）和其他掩模增強技術來提升圖案質量。
設計規(guī)則復雜性：隨著工藝節(jié)點的縮小，掩模設計需要考慮更多的電性效應和光學效應，如散射和衍射。
挑戰(zhàn)：在更先進的制程中（如7nm及以下），掩模版的制作變得更加復雜和昂貴。每一層掩模的制作時間和成本都很高，需要確保設計的每個細節(jié)都*無誤。
解決方案：通過優(yōu)化工藝流程、改進掩模版的制造技術（如EUV光刻），以及在設計階段進行*的DFM優(yōu)化，可以減少full-mask相關的挑戰(zhàn)，提升生產效率和良率。

隨著節(jié)點的縮小和設計復雜性的增加，full-mask的設計和制造面臨越來越大的技術挑戰(zhàn)，需要依賴先進的光刻技術和掩模增強方法來保證*終的圖案質量。full-mask是半導體制造中一個重要的光刻工具，尤其在大規(guī)模量產中具備效率高和精度好的優(yōu)勢。

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