從測試作業(yè)的精細(xì)程度和作業(yè)用人數(shù)量看，晶圓測試（CP）屬于“晶圓級”工藝，數(shù)千顆甚至數(shù)萬顆裸芯片高度集成于一張晶圓上，對測試作業(yè)的潔凈等級、作業(yè)的精細(xì)程度、大數(shù)據(jù)的分析能力等要求較高，因此技術(shù)實力較強的測試廠商通過精益生產(chǎn)能夠?qū)崿F(xiàn)更好的效益，拉開與其他對手的差距。

圖：CP和FT測試流程

而芯片成品測試（FT）屬于“芯片級”工藝，芯片成品完成封裝之后，處于良好的保護(hù)狀態(tài)，物理尺寸體積也較晶圓狀態(tài)的裸芯片增加幾倍至數(shù)十倍，因此芯片成品測試對潔凈等級和作業(yè)精細(xì)程度的要求較晶圓測試低一個級別，測試作業(yè)工作量和人員用工量也更大。

從具體的測試工藝難點看，兩者擁有不同的技術(shù)難點和挑戰(zhàn)。在晶圓測試方面，受探針卡自身物理結(jié)構(gòu)和電特性的限制，晶圓測試更容易受到干擾，高速信號的信號完整性控制的難度較高不好，在測試方案開發(fā)和量產(chǎn)測試過程中需要更精密的治具硬件和更高要求的環(huán)境條件，因此，晶圓測試需要高效率的測試，其測試項目以直流測試、低速功能測試為主，追求[敏感詞]的高同測，難點為在方案設(shè)計時需盡可能提高同測數(shù)、提高并測效率、保證一致性和穩(wěn)定性、高同測的探針卡設(shè)計等方面。

在芯片成品測試方面，芯片成品測試一般是全模塊全覆蓋測試，其難點為：大電流項目的功耗控制、提高治具設(shè)計的熱量冗余；減少高速測試項目的信號反射、保證信號完整性；射頻測試項目設(shè)計的阻抗匹配、減少干擾；精確測量高精度測試項目等，上面都涉及到測試方法設(shè)計、治具設(shè)計、測試板設(shè)計、測試程序開發(fā)等方面的綜合性技術(shù)。

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