行業新聞

分享半導體功率器件行業前沿資訊，開展行業的技術交流、思想碰撞、信息互換、資料查詢等，乘“國產替代”的東風，以強芯強國為使命，薩科微立志成為“國產半導體領導者”，為中國芯的強大和中華民族的偉大復興貢獻力量!

更新日期： 2023-03-09
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小小一個芯片，難死多少英雄漢！面對美國在芯片上，對中國高科技企業的各種制裁，很多國人覺得中國遇到滅頂之災了，但是，很多老外可不這么看！相反，他們不少人覺得，美國的制裁，對中國中下游的手機品牌商和芯片制造廠，短期是風險，長期是機會。而對于中國上游的設備廠和材料廠，則是短期是機會，長期是更大的機會。 ……

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TI和ADI誰是模擬芯片之王？

更新日期： 2023-03-09
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德州儀器（TI）和亞德諾半導體技術有限公司（ADI）是半導體行業的兩家領先公司，以其在設計和制造模擬和混合信號集成電路方面的專業知識而聞名。兩家公司都為各種應用提供范圍廣泛的產品，從消費電子產品到工業和汽車系統。在本文中，我們將比較TI和ADI，重點關注它們的產品組合、制造和基本面，以幫助您了解這兩家公司之間的異同。 ……

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重磅突發！又一家芯片公司被收購，價格57億

更新日期： 2023-03-03
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幾小時前，也就是美國東部當地時間3月2日下午2:05，英飛凌官宣收購氮化鎵初創公司 GaN Systems，交易總值8.3億美元現金（57億人民幣）。 GaN Systems 成立于2008年，是一家位于加拿大渥太華的第三代半導體無晶圓設計公司，主營業務是開發基于氮化鎵的功率芯片和功率轉換解決方案。公司……

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產業寒冬下，電子元器件分銷商戰績如何？

更新日期： 2023-03-03
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近日，艾睿電子、安富利、大聯大、文曄等全球排名前列的元器件分銷商和香農芯創、力源信息、雅創電子和英唐智控、好上好等多家本土元器件分銷商陸續公布了2022年業績報告/業績預告。正值全球半導體產業的寒冬，哪些元器件分銷商繼續保持了高增長態勢？哪些元器件分銷商增……

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瑞薩電子構建的汽車“芯”版圖

更新日期： 2023-03-03
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電子發燒友網報道（文/黃晶晶）汽車產業正在機械化向新四化發展，即電動化、智能化、網聯化、共享化。傳統的汽車零部件發動機、變速箱等架構組成正在演變成新的汽車電子電氣架構，并從域控逐漸走向中央計算單元。對于汽車電子行業趨勢的變化，瑞薩電子已經做出了前瞻判斷和廣泛部署。在2022慕尼黑華南電子展同期舉行的瑞薩……

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瞻芯電子完成數億元B輪融資，為國產碳化硅(SiC)持續加碼

更新日期： 2023-03-03
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近日，上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）完成數億元B輪融資，本輪融資由國方創新領投，國中資本、臨港新片區基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本等眾多機構跟投，老股東臨芯投資、光速中國、廣發信德持續追加。投資人觀點國方創新管理合伙人孫忞先生表示：碳中和時代背景下，新能源車和光伏、儲能……

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PCBA元器件間距的DFA可焊性設計

更新日期： 2023-03-03
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“ SMT貼片加工逐步往高密度、細間距的設計發展，元器件的最小間距設計需考慮smt廠家的經驗程度和工藝是否完善。元器件最小間距的設計除了保證smt焊盤間不……

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重磅！政府調研IC企業；國資委、工信部喊話中國半導體

更新日期： 2023-03-03
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01 國家相關領導人調研集成電路企業并主持召開座談會 ……

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一文讀懂氧化鎵（第四代半導體）

更新日期： 2023-02-27
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本篇行業研究由沃衍資本投研部出品近來，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導體”材料，得到了持續關注。超寬禁帶半導體也屬于“第四代半導體”，與第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV，更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的……

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中國大陸半導體前道制造設備數據月報（2022-122）

更新日期： 2023-02-24
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數據概覽：根據中國大陸海關說明，半導體前道制造設備可分為以下類別，分別對應前道制造中的熱處理、CVD、PVD、其他沉積、光刻、干法刻蝕、其他刻蝕與離子注入等流程。以下為數據的統計結果圖表：最近3月，中國大陸半導體前道制造設備進口金額為3919.5百萬美元，較去年同期下降2……

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芯片巨頭“下南洋”：擔憂的不是現狀，是趨勢

更新日期： 2023-02-24
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劃重點： 1. 這幾年，在我們加速技術“去美國化”的同時，海外芯片巨頭也在加速業務轉移，紛紛將目光轉向東南亞。 ……

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氧化鎵：第四代寬禁帶半導體材料

更新日期： 2023-02-23
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近來，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導體”材料，得到了持續關注。超寬禁帶半導體也屬于“第四代半導體”，與第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV，更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從價帶躍遷到導帶，因此氧化鎵具有耐高……

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