超越摩爾定律，第三代半導體材料技術迎來高光時刻 進入 21 世紀以來，人工智能、5G、自動駕駛等新應用的興起，對芯片性能提出了更高的要求，同時也推動了半導體制造工藝和新材料不斷創(chuàng)新。作為有可能超越摩爾定律的第三代半導體材料技術，迎來了它們的高光時刻。
第三代半導體材料又稱寬帶隙材料(Wide Bandgap Semiconductors)，是那些帶隙寬度較大（Eg≥2.3 eV）的半導體材料，主流的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），以及非主流的氧化鋅（ZnO）、金剛石和氮化鋁（AlN）是第三代半導體技術的主要代表。與[敏感詞]代和第二代半導體材料相比，第三代半導體除能隙較寬外，擊穿場強、導熱率、電子飽和速率和抗輻射性也很出色。它們在制造高溫、高頻、抗輻射及大功率器件方面有優(yōu)勢，能夠滿足對更高能效能量轉換系統(tǒng)的迫切需求。根據(jù)Omdia的《2020年SiC和GaN功率半導體報告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半導體的銷售收入預計達8.54億美元。未來十年將達年均兩位數(shù)增長率，到2029年將超過50億美元。
電動汽車、5G、大數(shù)據(jù)等諸多新型應用給半導體材料帶來發(fā)展契機。在耗電量大的數(shù)據(jù)中心、各種各樣的充電器、即將取代內燃機的電動汽車的牽引電機變頻器等應用中，能效的提高都會減少石油、煤炭等傳統(tǒng)能源消耗產(chǎn)生的二氧化碳。新材料還推進了再生能源的大規(guī)模應用，例如，寬禁帶功率半導體可以讓太陽能和風力發(fā)電的效率更高。
另一方面，隨著基于 5G 的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）部署應用，萬物互聯(lián)網(wǎng)大規(guī)模普及，數(shù)十億的用戶、機器和設備能夠實時共享大量的數(shù)據(jù)、高分辨率圖像和高清視頻流，遠程手術、自動駕駛汽車、無人機送貨和許多其他具有挑戰(zhàn)性的應用將從概念變?yōu)楝F(xiàn)實。除了受益于人工智能（AI）和機器學習外，這些發(fā)展成果也離不開處理性能更高、帶寬更高和延遲短的新材料。
引領創(chuàng)新，ST積極布局第三代半導體技術應用 20 世紀 90 年代初，ST從 2 吋晶圓開始一直在開發(fā)和推出 SiC MOSFET 晶體管和二極管，經(jīng)過多年長期投資，ST 獲得了相關核心制造工藝的關鍵專利。無論是在外延層、邊緣端接設計，還是柵極氧化層等方面，ST 的高壓晶體管和二極管制造專長對于幫助 ST率先成功開發(fā)SiC來說，功不可沒。如今
ST 已借勢發(fā)展成為新興電動汽車（EV）行業(yè)的重要 SiC 供應商。ST 的 SiC 產(chǎn)品主要用于電動汽車車載充電、主逆變器、DC-DC變頻器以及工業(yè)驅動、光伏等應用中。同時， ST仍致力于開發(fā)適用于 5G 基站和通信塔、功率開關、消費電子和工業(yè)充電器和電源適配器等應用的GaN器件。目前硅襯底GaN射頻產(chǎn)品正在設計中，這將使ST能夠[敏感詞]地擴大產(chǎn)品組合。
在SiC MOSFET方面，ST正在建立一個穩(wěn)定的供應鏈：對瑞典Norstel AB的成功并購完成了一次完全垂直的供應鏈整合，與Cree、SiCrystal簽署長期晶圓供貨協(xié)議，同時也不斷擴大自有產(chǎn)能。如今，
ST正將在SiC方面的成功延續(xù)到GaN領域，積極與產(chǎn)業(yè)鏈上下游開展一系列合作：收購氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權，采用臺積電領先業(yè)界的GaN制造工藝，和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉換技術，與MACOM攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，等等。
ST MasterGaN®平臺問世：開啟更小、更輕、更快GaN充電時代 電源小型化趨勢已經(jīng)持續(xù)了幾十年，預計將會繼續(xù)賦能新的市場應用。此外，提高功率密度是提高能效的關鍵，也是設計人員非?？粗氐囊粋€參數(shù)指標。然而，如何實現(xiàn)更緊湊、更高效的電源解決方案，仍存在主要的技術限制。
GaN高電子遷移率晶體管技術作為一場新的創(chuàng)新浪潮，正在徹底改變電力工程世界。GaN功率FET晶體管突破了普通硅基電力解決方案的性能限制，能夠實現(xiàn)硅基MOSFET從未達到的高速、高效和更高功率密度，并賦能新的應用市場。作為功率轉換市場數(shù)十載的領導者和先驅，ST利用其無與倫比的技術經(jīng)驗和系統(tǒng)專業(yè)知識，搭乘這一次新的創(chuàng)新浪潮，不斷推出新產(chǎn)品和解決方案，覆蓋更廣闊的市場應用。
近日，ST推出世界[敏感詞]集成硅基半橋驅動芯片和一對GaN晶體管的產(chǎn)品平臺MasterGaN®。該集成化解決方案將有助于加快下一代400W以下輕便節(jié)能的、用于消費電子和工業(yè)領域的充電器和電源適配器的開發(fā)速度。
GaN技術使電子設備能夠處理
更大功率，同時設備本身變得
更小、更輕、更節(jié)能，這些改進將會改變用于智能手機的超快充電器和無線充電器、用于PC和游戲機的USB-PD緊湊型適配器，以及太陽能儲電系統(tǒng)、不間斷電源或高端OLED電視機和云服務器等工業(yè)應用。
在當今的GaN市場上，通常采用分立功率晶體管和驅動IC的方案，這要求設計人員必須學習如何讓它們協(xié)同工作，實現(xiàn)[敏感詞]性能。意法半導體的MasterGaN方案繞過了這一挑戰(zhàn)，縮短了產(chǎn)品上市時間，并能獲得預期的性能，同時使封裝變得更小、更簡單，電路組件更少，系統(tǒng)可靠性更高。憑借GaN技術和意法半導體集成產(chǎn)品的優(yōu)勢，采用新產(chǎn)品的充電器和適配器比普通硅基解決方案
縮減尺寸80％，減重70％, 充電速度提高2倍。
MasterGaN產(chǎn)品平臺獨特優(yōu)勢 意法半導體執(zhí)行副總裁、模擬產(chǎn)品分部總經(jīng)理Matteo Lo Presti表示：“ST獨有的MasterGaN產(chǎn)品平臺是基于我們的經(jīng)過市場檢驗的專業(yè)知識和設計能力，整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術而成，能夠加快節(jié)省空間、高能效的環(huán)境友好型產(chǎn)品的開發(fā)。”
MasterGaN1是意法半導體MasterGaN平臺的[敏感詞]產(chǎn)品，集成兩個半橋配置的GaN功率晶體管和高低邊驅動芯片。MasterGaN1采用9mm x 9mm GQFN封裝，厚度只有1mm，現(xiàn)已量產(chǎn)。此外，意法半導體還提供一個產(chǎn)品評估板，幫助客戶快速啟動電源產(chǎn)品項目。
免責聲明：本文轉載自“意法半導體中國”，本文僅代表作者個人觀點，不代表薩科微及行業(yè)觀點，只為轉載與分享，支持保護知識產(chǎn)權，轉載請注明原出處及作者，如有侵權請聯(lián)系我們刪除。
公司電話：+86-0755-83044319
傳真/FAX：+86-0755-83975897
郵箱：1615456225@qq.com
QQ：3518641314 李經(jīng)理
QQ：332496225 丘經(jīng)理
地址：深圳市龍華新區(qū)民治大道1079號展滔科技大廈C座809室
