IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動有哪些？

?? IGBT和MOSFET隔離驅(qū)動是可靠的驅(qū)動絕緣柵器件，目前已經(jīng)有很多成熟的電路。當不需要將驅(qū)動信號與功率器件隔離時，驅(qū)動電路的設(shè)計相對簡單，目前有很多優(yōu)秀的驅(qū)動集成電路。
??1. 光耦合器隔離驅(qū)動器

?? 光耦合器的優(yōu)點是體積小，缺點是：a、反應(yīng)慢，所以延遲時間長(高速光耦合器一般都在300ns以上)；光電耦合器的輸出級需要隔離的輔助電源。

??2.無源變壓器驅(qū)動

??用脈沖變壓器隔離驅(qū)動絕緣柵功率器件有三種方式：無源、有源和自供電驅(qū)動。無源方法是用變壓器次級DC的輸出驅(qū)動絕緣柵器件。這種方法非常簡單，不需要單獨的驅(qū)動電源。缺點是輸出波形失真較大，因為絕緣柵功率器件的柵源電容Cgs一般較大。降低失真的方法是將一次輸入信號變?yōu)榫哂幸欢üβ实拇笮盘枺鄳?yīng)的脈沖變壓器也要取較大的體積，但在大功率下仍不盡如人意。另一個缺點是當占空比變化較大時，輸出驅(qū)動脈沖的正負幅值變化太大，可能導(dǎo)致工作異常，因此只適合占空比變化不大的場合。

??3.有源變壓器驅(qū)動

??在有源方法中，變壓器只提供隔離信號，次級中還有另一個整形放大電路來驅(qū)動絕緣柵功率器件。驅(qū)動波形當然好，但需要為放大器提供單獨的輔助電源。但是，如果輔助電源處理不當，可能會引入寄生干擾。

??4.調(diào)制自備電源的變壓器隔離驅(qū)動器

??采用只有一個變壓器的自給自足供電技術(shù)當然是一個好方法，既節(jié)省了輔助電源，又能獲得更快的速度。目前，產(chǎn)生自給自足的電源有兩種方式：調(diào)制和從分時。

??調(diào)制技術(shù)是一種經(jīng)典的方法，即對PWM驅(qū)動信號進行高頻(幾個MHZ以上)調(diào)制，將調(diào)制后的信號施加到隔離脈沖變壓器的初級，在次級直接整流獲得自給自足的電源，而原始的PWM調(diào)制信號需要進行解調(diào)。顯然，這個方法并不簡單。調(diào)制的另一個缺點是對PWM的解調(diào)增加了信號的延時，這種調(diào)制方式適合傳輸頻率較低的PWM信號。

??5.分時自給電源的變壓器隔離驅(qū)動器

??分時技術(shù)是一項相對較新的技術(shù)。其原理是信號和能量的傳輸分開進行，即信息在變壓器輸入PWM信號的上升沿和下降沿傳輸，驅(qū)動所需的能量在輸入信號的平[敏感詞]傳輸。因為只有信號在PWM信號的上升沿和下降沿傳輸，基本沒有能量傳輸，所以輸出PWM脈沖的延時和畸變非常小，可以獲得陡峭的驅(qū)動輸出脈沖。分時自供電驅(qū)動器的缺點是變壓器在低頻使用時體積大。此外，由于自供電能量的限制，很難驅(qū)動超過300A/1200V的IGBT。

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