1.芯片（Chip）：指集成電路（Integrated Circuit，IC），是由大量的半導(dǎo)體器件組成的微小電子元件。

2.半導(dǎo)體（Semiconductor）：具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間電導(dǎo)特性的物質(zhì)，廣泛用于制造電子器件。

3.MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）：一種常見(jiàn)的集成電路結(jié)構(gòu)，包括金屬、氧化物和半導(dǎo)體。

4.CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）一種常見(jiàn)的低功耗、高集成度的集成電路技術(shù)，常用于微處理器和存儲(chǔ)器。

5.FPGA（Field-Programmable Gate Array）：一種可編程邏輯芯片，可以根據(jù)需求重新配置電路功能。

6.ASIC（Application-Specific Integrated Circuit）：用于特定應(yīng)用的定制集成電路，相比通用的處理器更高效且功耗較低。

7.SoC（System-on-a-Chip）：一種將多個(gè)功能模塊集成到單一芯片上的設(shè)計(jì)，如包含處理器、內(nèi)存、外設(shè)等。

8.IC工藝（IC Process）：指在芯片制造過(guò)程中所采用的工藝流程，包括沉積、蝕刻、光刻等步驟。

9.硅晶圓（Silicon Wafer）：一種半導(dǎo)體材料的基片，用于制造芯片。

10.封裝（Packaging）：將芯片封裝成實(shí)際可使用的器件，如芯片的外殼、引線等。

11.BGA（Ball Grid Array）：一種常見(jiàn)的芯片封裝技術(shù)，芯片底部焊接了一定數(shù)量的小球或焊盤。

12.超大規(guī)模集成電路（Very Large Scale Integration，VLSI）：指集成度非常高的集成電路設(shè)計(jì)和制造技術(shù)。

13.特征尺寸（Feature Size）：指半導(dǎo)體工藝中的最小制造單元，通常以納米為單位。

14.雜散電容（Parasitic Capacitance）：在半導(dǎo)體器件或線路中產(chǎn)生的非預(yù)期電容。

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