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技術(shù)交流

Technology Exchange
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【每日一品】無(wú)線充電革新:薩科微SL25N10 中壓MOSFET的特性與應(yīng)用
  • 更新日期: 2024-03-25
  • 瀏覽次數(shù): 1585
無(wú)線充電不是一個(gè)陌生的技術(shù)了,它已經(jīng)走向市場(chǎng)并應(yīng)用了很長(zhǎng)一段時(shí)間。尤其是在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域,無(wú)線充電技術(shù)可以說(shuō)發(fā)展得十分迅速,幾乎成為手機(jī)的標(biāo)配。不過(guò)相比之下,在電動(dòng)汽車領(lǐng)域,該技術(shù)的進(jìn)展就緩慢得多。不同于手機(jī)本身用電量不高,手機(jī)無(wú)線充電可以比較容易做到很高的功率,電動(dòng)汽車無(wú)線充電技術(shù)長(zhǎng)期以來(lái)功率偏小、對(duì)使用環(huán)境較為嚴(yán)苛而……
【每日一品】薩科微 SL50N06D 中壓MOSFET:助力BLDC電機(jī)控制技術(shù)
  • 更新日期: 2024-03-23
  • 瀏覽次數(shù): 1074
從家電、兒童玩具、無(wú)人機(jī)、電動(dòng)車、電動(dòng)工具到電腦和服務(wù)器散熱風(fēng)扇,電機(jī)可謂無(wú)處不在。電機(jī)種類繁多,而B(niǎo)LDC逐漸成為市場(chǎng)主流。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展、MCU和驅(qū)動(dòng)組件的普及,在高效率、高扭矩、低噪音、長(zhǎng)壽命、響應(yīng)快速等優(yōu)勢(shì)的加持下,越來(lái)越多電機(jī)應(yīng)用開(kāi)始向BLDC轉(zhuǎn)變。由于電機(jī)通用性很強(qiáng),已經(jīng)遍布在制造業(yè)各個(gè)領(lǐng)域,凡是需要……
【每日一品】助力低空經(jīng)濟(jì):薩科微中壓MOSFET SL2309A在eVTOL電力系統(tǒng)中的應(yīng)用
  • 更新日期: 2024-03-22
  • 瀏覽次數(shù): 1355
最近低空經(jīng)濟(jì)成為了市場(chǎng)熱點(diǎn),伴隨年初《無(wú)人駕駛航空器飛行管理暫行條例》的正式實(shí)施,以及2024年兩會(huì)中,低空經(jīng)濟(jì)首次被寫(xiě)入政府工作報(bào)告,為行業(yè)打開(kāi)政策空間后,產(chǎn)業(yè)鏈公司也迅速跟進(jìn),迎來(lái)了不少新進(jìn)展。低空經(jīng)濟(jì)是指在垂直高度1000米以下、根據(jù)實(shí)際需要延伸至不超過(guò)3000米的低空空域?yàn)橹饕顒?dòng)場(chǎng)域,基于各種有人駕駛或無(wú)人駕……
【每日一品】?jī)?chǔ)氣庫(kù)電力系統(tǒng)優(yōu)化:薩科微中壓MOSFET BAS70W-05應(yīng)用于中低壓開(kāi)關(guān)柜
  • 更新日期: 2024-03-21
  • 瀏覽次數(shù): 1258
陽(yáng)江LNG調(diào)峰儲(chǔ)氣庫(kù)項(xiàng)目是廣東省“一帶一路”優(yōu)先推進(jìn)項(xiàng)目,也是廣東省能源發(fā)展“十三五”規(guī)劃建設(shè)重點(diǎn)項(xiàng)目,共分兩期建設(shè)。其中,一期總投資約54億元,于2021年9月底開(kāi)工,預(yù)計(jì)2024年3月建成投產(chǎn)。液化天然氣LNG作為我國(guó)目前重要的低碳環(huán)保、清潔高效的能源,替代傳統(tǒng)煤炭石油能源能夠有效緩解碳排放壓力,該項(xiàng)目LNG接卸處……
了解這幾個(gè)點(diǎn) 輕松玩轉(zhuǎn)示波器!
  • 更新日期: 2024-03-20
  • 瀏覽次數(shù): 1523
示波器是一種電子測(cè)量?jī)x器,用于顯示電壓隨時(shí)間變化的波形圖像。它通常由屏幕、控制按鈕、輸入接口和觸發(fā)電路等部分組成。示波器可分為模擬示波器和數(shù)字示波器兩種類型,數(shù)字示波器在現(xiàn)代電子工程中得到廣泛應(yīng)用。在電子工程領(lǐng)域,示波器是一種不可或缺的工具,能夠幫助工程師觀察、分析和測(cè)量各種電信號(hào)。通過(guò)熟練掌握示波器的使用技巧和方法,……
【每日一品】薩科微中壓MOSFET SL4421與電池技術(shù)創(chuàng)新:能源存儲(chǔ)與管理的未來(lái)之路
  • 更新日期: 2024-03-20
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近日,浙江大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)宣布其研究人員設(shè)計(jì)出一款新型電解液,商用后或?qū)⒆岆妱?dòng)汽車在室溫下的快充性能和低溫下運(yùn)行的性能得到極大提升。如果這一成果可以量產(chǎn),那么將有望解決當(dāng)前電動(dòng)汽車的兩大難題,一個(gè)是充電慢,一旦車輛較多,等待時(shí)間太長(zhǎng);另一個(gè)則是極端環(huán)境下的適應(yīng)性,尤其是低溫環(huán)境不止會(huì)讓動(dòng)力電池容量顯著下降,同時(shí)伴隨著功率衰……
【每日一品】解鎖便捷儲(chǔ)能新時(shí)代:薩科微中壓MOSFET SL12N10 的創(chuàng)新應(yīng)用
  • 更新日期: 2024-03-19
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近兩年,在需求端,受美聯(lián)儲(chǔ)持續(xù)加息影響,便攜儲(chǔ)能主力消費(fèi)市場(chǎng)美國(guó)、日本等地需求均出現(xiàn)一定程度的下滑。同時(shí)受能源危機(jī)影響庫(kù)存積壓?jiǎn)栴}嚴(yán)重的歐洲市場(chǎng)在2023年持續(xù)去庫(kù),2023前三季度行業(yè)需求受到了較大程度的抑制。但隨著美聯(lián)儲(chǔ)降息預(yù)期的加強(qiáng),以及歐洲去庫(kù)存持續(xù)消化與以及受美國(guó)加州等地禁售柴油機(jī)產(chǎn)品影響,增加了便攜式儲(chǔ)能的……
【每日一品】驅(qū)動(dòng)汽車電子系統(tǒng):薩科微SL30N06D中壓MOS管 SL30N06D在汽車模擬領(lǐng)域的應(yīng)用
  • 更新日期: 2024-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 1479
近年汽車是所有模擬芯片領(lǐng)域中成長(zhǎng)最快的細(xì)分市場(chǎng),知名市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IDC指出,2021年至2025年汽車模擬芯片市場(chǎng)以兩位數(shù)13.2%的年復(fù)合增長(zhǎng)率持續(xù)增長(zhǎng)。對(duì)于這個(gè)充滿機(jī)遇的汽車模擬市場(chǎng),本土廠商展現(xiàn)出十分積極的布局態(tài)勢(shì),此外,在產(chǎn)品品類方面,國(guó)產(chǎn)模擬廠商已經(jīng)從數(shù)字隔離器、通用電源領(lǐng)域,逐步拓展到高低邊開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、……
【每日一品】薩科微2N7002KW中壓MOS管:助力超聲波電機(jī)技術(shù)
  • 更新日期: 2024-03-15
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微型電機(jī)方面的研究現(xiàn)在熱度很高,如何在小體積下做到快速地響應(yīng)、足夠大的轉(zhuǎn)矩是行業(yè)很關(guān)注的方向。這一方向上,超聲波電機(jī)成為國(guó)內(nèi)外在微型電機(jī)方面的研究熱點(diǎn)。我們熟悉的電機(jī),絕大多數(shù)都是以電磁原理為基礎(chǔ),而超聲波電機(jī)完全是另一條技術(shù)路線。在技術(shù)的發(fā)展與迭代下,超聲波電機(jī)展現(xiàn)出了低速大轉(zhuǎn)矩、反應(yīng)速度快、不受磁場(chǎng)影響、保持力矩大……
【每日一品】薩科微MMBF170L中壓MOS管:助力新能源汽車技術(shù)
  • 更新日期: 2024-03-15
  • 瀏覽次數(shù): 1234
在過(guò)去一年,國(guó)產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來(lái)了全面爆發(fā),眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品,尋求打進(jìn)汽車供應(yīng)鏈。SiC(碳化硅)功率器件以其高溫穩(wěn)定性、高頻特性和低開(kāi)關(guān)損耗等優(yōu)勢(shì),成為新能源汽車領(lǐng)域的熱門技術(shù)。今年春節(jié)后的新一輪新能源汽車降價(jià)潮更是將800V平臺(tái)和SiC電驅(qū)技術(shù)帶入了20萬(wàn)元以下的市場(chǎng),進(jìn)……
輕松了解功率MOSFET的雪崩效應(yīng)
  • 更新日期: 2024-03-14
  • 瀏覽次數(shù): 1647
在現(xiàn)代電力電子和集成電路領(lǐng)域,功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為一種重要的功率開(kāi)關(guān)元件,其具有快速、高效的特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種電源控制和功率放大電路中。在MOSFET中,其體二極管結(jié)構(gòu)在關(guān)斷狀態(tài)下起著至關(guān)重要的作用,其設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)最小漏極-源極電壓的阻斷,同時(shí)保證器件的可靠性和穩(wěn)定性。
IGBT模塊封裝壁壘:高可靠性
  • 更新日期: 2024-03-14
  • 瀏覽次數(shù): 1660
IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高,高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。IGBT模塊具有使用時(shí)間長(zhǎng)的特點(diǎn),汽車級(jí)模塊的使用時(shí)間可達(dá)15年。因此在封裝過(guò)程中,模塊對(duì)產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量穩(wěn)定性要求非常高。高可靠性設(shè)計(jì)需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數(shù)、高集成度。

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