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技術交流

Technology Exchange
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印寧華
印寧華
關于差分輸入、PGA和儀表放大器及混合SOC設計，最近整理一些交流心得分享下面是微群里的聊天記錄之前群里交流的內容多數還是在應用市場和商務MARCON上. 不妨換個角度，聊聊芯片內部的話題, 比如SOC, AFE, MCU 低功耗的設計.針對于數字和模擬芯片設計者，大家對一款通用器件的理解和出發點是不一樣的。比如, 可能大家對儀表放大器理解的角度就會有所不同吧，將差分輸入，MUX, BUFFER。
充電樁CP通信工程完整性模塊
  • 更新日期： 2022-07-20
  • 瀏覽次數： 4375
2022-06-21 深圳 南山 , 業內領先的工程類工業總線及電源完整性解決方案供應商大印藍海發布新能源汽車充電樁CP通信濾波降噪模塊 伴隨我國新能源汽車利好政策陸續出臺，城市交通系統紛紛推出新能源公交車，加上工廠、倉庫也逐步應用新能源 AGV，充電樁的需求量日增月益。預計 2022年，我國將擁有分布式……
首款國產LSM電磁彈射-游樂過山車
  • 更新日期： 2022-07-20
  • 瀏覽次數： 4656
廣州鈞明歡樂世界對外營業，由位于中山市的廣東金馬游樂股份有限公司(下稱“金馬游樂”)自主研發的、國產首臺運用LSM電磁彈射技術的彈射式過山車“炫酷飛馳”在此正式亮相。這是國產第一臺運用LSM電磁彈射技術的彈射式過山車。這也意味著金馬游樂成為全球第三家擁有相關核心技術的游樂企業，此舉打破了游樂行業運用LSM電磁彈射技術的……
新型寬禁帶半導體-氧化鎵
  • 更新日期： 2022-07-05
  • 瀏覽次數： 5103
技術日新月異, 第三代寬禁帶半導體技術及制造工藝發展還沒有多少年,源起于日本的氧化鎵被譽為第四代半導體技術已開始國內市場發育. 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發出的β-Ga……
柵級驅動及工業汽車MCU
  • 更新日期： 2022-06-28
  • 瀏覽次數： 5023
概述閘級功率放大器（Gate Driver），也稱柵（閘）級驅動器，可以讓控制集成電路產生的小功率訊號來驅動功率晶體（例如IGBT或是功率級MOSFET）的閘極。柵級驅動器可能是附在功率晶體上甚至集成進MCU內部，也有可能是獨立的元件。柵級驅動器會包括位準轉換器以及放大器電路。 目的 MOSFET和……
充電樁CP通信工程完整性模塊
  • 更新日期： 2022-06-21
  • 瀏覽次數： 4463
2022-06-21 深圳 南山 , 業內領先的工程類工業總線及電源完整性解決方案供應商大印藍海發布新能源汽車充電樁CP通信濾波降噪模塊 伴隨我國新能源汽車利好政策陸續出臺，城市交通系統紛紛推出新能源公交車，加上工廠、倉庫也逐步應用新能源 AGV，充電樁的需求量日增月益。預計 2022年，我國將擁有分布式……
半導體硅晶圓制造
  • 更新日期： 2022-06-09
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晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內晶圓生產線以 8英寸和 12 英寸為主。 晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時加工1 片或多片晶圓。隨著半……
霍爾傳感器及開關分類
  • 更新日期： 2022-06-01
  • 瀏覽次數： 5745
什么是霍爾效應傳感器？ 簡單地理解就是給一塊半導體材料通電，并將其置于磁場中。磁通線在半導體材料上施加力，使導電材料中的電荷載流子電子和空穴偏轉到半導體板的另一側，產生電位差輸出的霍爾電壓經過處理，就可以獲得磁場的大小、位置等信息。 初級霍爾效應傳感器包括：一……
ADC參數及ENOB測試
  • 更新日期： 2022-05-19
  • 瀏覽次數： 11556
隨著數字技術的不斷發展和計算機在信號處理、控制等領域中的?泛應?，過去由模擬電路實現的?作，今天越來越多地由數字電路或計算機來處理。作為模擬與數字之間的橋梁，模擬數字轉換器（ADC）的重要性越來越突出，由此也推動了ADC測試技術的發展。 本文先介紹了ADC的測試，包括靜態參數和動態參數測試，然后結合?動測試系統測……
5.14 大灣區半導體沙龍
  • 更新日期： 2022-05-16
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5.14大灣區半導體沙龍– 創業家園篇 開始10:00am - 結束14:00 地址：深圳市南山區深南大道海岸時代東B 1302 大印藍海工作室（一區） 連續下了數天大雨，早上起來雨停了，上午沙龍正常舉辦，10點開始。 前期到來的部分創業小……
FinFET晶體管設計工藝
  • 更新日期： 2022-04-13
  • 瀏覽次數： 4772
FinFET試圖克服晶體管遇到的最糟糕類型的短溝道效應，同時使芯片能夠以更低的成本實現更高的性能指標。自從半導體取得突破以來，縱觀集成電路設計的歷史，摩爾定律——即一塊硅上的晶體管數量每兩年翻一番，而且將一直保持不變。隨著代工廠開發越來越先進的工藝節點以滿足消費者的需求，當今先進處理器上的晶體管數量達到數百億。這與1970年代中期只有幾千個晶體管的處理器相去甚遠，這在當時是最先進的。 推動半導體行業發展并使今天的芯片成為可能的關鍵技術趨勢之一是采用FinFET工藝。另一種有前途的技術是環柵(GAA)
ZVS零電壓開關反激
  • 更新日期： 2022-04-11
  • 瀏覽次數： 6561
在傳統以及準諧振反激形式應用中，由于MOS導通時的電壓較高（基本都在150V以上），特別是高壓的輸入條件下，會有較高的開關損耗及DI/Dt造成的EMI干擾，影響系統效率及EMI特性。直到ZVS反激式電路的出現，很好的解決了這些痛點。 先從反激應用電路開始分析，再轉到ZVS零電壓開關電路應用一. 反激應用中MOSF……
關于WLCSP晶圓級芯片封裝技術介紹
  • 更新日期： 2022-04-02
  • 瀏覽次數： 21355
WLCSP（Wafer Level Chip Scale Packaging）是一種晶圓級芯片封裝方式，有別于傳統的芯片封裝方式（切割、封裝、測試，封裝后原始芯片數量會增加至少20%）。 整個晶圓封裝測試后，切割成單個IC顆粒，因此封裝體積與IC裸片原始尺寸相同。 WLCSP封裝方式不僅顯著減小了內存模塊的尺寸，還滿足了移動設備對體空間的高密度要求。 另一方面，在性能方面，也提升了數據傳輸的速度和穩定性。

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