晶體管類型: NPN

集射極擊穿電壓(Vceo): 10V

集電極電流(Ic): 35mA

功率(Pd): 200mW

集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib) -

直流電流增益(hFE@Ic,Vce) -

特征頻率(fT): 10GHz

工作溫度: +150℃@(Tj)