SoC（ on Chip）作為芯片設(shè)計(jì)的主流，已經(jīng)成為現(xiàn)代集成電路技術(shù)發(fā)展的核心。 1、SoC設(shè)計(jì)的核心思想 從結(jié)構(gòu)上來(lái)看，SoC可以理解為把一個(gè)完整系統(tǒng)的所有功能電路都設(shè)計(jì)并集成在一個(gè)芯片中，形成一個(gè)高度集成的單元。傳統(tǒng)的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)通常是將不同的功能模塊分別制作成獨(dú)立的芯片，然后通過(guò)電路板上的連接將這些芯片集成到一個(gè)系統(tǒng)中。而SoC技術(shù)則直接將這些模塊在芯片制造時(shí)集成在一起，形成一個(gè)系統(tǒng)化的單芯片解決方案。 我們可以用“多合一工具”來(lái)形象化這個(gè)過(guò)程。傳統(tǒng)的電子設(shè)計(jì)就像是你在使

SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）與SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）兩種技術(shù)都是現(xiàn)代集成電路發(fā)展的重要里程碑，它們都能實(shí)現(xiàn)電子系統(tǒng)的小型化、高效化和集成化。 一、SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）和SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）的定義及基本思路 SoC（System on Chip）——將整個(gè)系統(tǒng)“擠”進(jìn)一個(gè)芯片 SoC 就像一棟高樓，把所有的功能模塊都設(shè)計(jì)、集成到同一個(gè)物理芯片上。SoC的核心思想是將整個(gè)電子系統(tǒng)的核心部件，包括處理器（CPU）、存儲(chǔ)器、通信模塊、模擬電路、傳感器接口等多種不同功能模塊全部集成在一個(gè)芯片上。SoC的優(yōu)勢(shì)

1. Defect “Defect”指的是在晶圓生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)的缺陷，可能是由于工藝不穩(wěn)定、設(shè)備問(wèn)題或材料瑕疵導(dǎo)致的。這些缺陷可能包括顆粒污染、圖形失真、晶體結(jié)構(gòu)破損等，都會(huì)影響最終產(chǎn)品的質(zhì)量。 通俗解釋：就是生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)的“瑕疵”或“不良”，這些問(wèn)題可能影響芯片的正常功能。 2. Fail ……

RIE干法刻蝕技術(shù)憑借其優(yōu)越的各向異性刻蝕能力和良好的選擇比控制，已成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的核心工藝。 一、RIE干法刻蝕技術(shù)的基本原理 RIE（Reactive Ion Etching，反應(yīng)離子刻蝕）作為一種主流的干法刻蝕技術(shù)，通過(guò)等離子體中的活性物質(zhì)對(duì)材料表面進(jìn)行選擇性刻蝕，以達(dá)到精確移除材料的目的。 圖：干法刻蝕概要 RIE刻蝕技術(shù)屬于一種等離子體輔助的干法刻蝕工藝。刻蝕過(guò)程中，通過(guò)在反應(yīng)腔內(nèi)引入刻蝕氣體并施加射頻電場(chǎng)，在電場(chǎng)作用下刻蝕氣體被電離和激發(fā)，形成等離子體

在半導(dǎo)體制造和晶圓工藝設(shè)備維護(hù)中，"Second Source"（二次來(lái)源）指的是使用非原廠供應(yīng)商生產(chǎn)的零件或耗材來(lái)替代原廠零件。這種策略有助于降低成本、減少對(duì)單一供應(yīng)商的依賴，同時(shí)確保制造的持續(xù)性和靈活性。 1. 什么是Second Source？ Second Source是指在生產(chǎn)制造過(guò)程中，為了降低……

SPC (Statistical Process Control) 是晶圓生產(chǎn)工藝中非常重要的工具，用于監(jiān)控、控制和改進(jìn)制造過(guò)程中各個(gè)環(huán)節(jié)的穩(wěn)定性。 1. SPC 系統(tǒng)的概述 SPC 是一種通過(guò)統(tǒng)計(jì)方法監(jiān)控和控制制造過(guò)程的方法。其核心是通過(guò)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的采集和分析來(lái)檢測(cè)生產(chǎn)過(guò)程中是否有異常情況發(fā)生，從而幫助工程師做出及時(shí)的調(diào)整和決策。SPC的目標(biāo)是在生產(chǎn)過(guò)程中減少變異，確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定并符合規(guī)格。 SPC在蝕刻工藝中用于： 監(jiān)控關(guān)鍵設(shè)備參數(shù)（如蝕刻速率、RF功率、腔體壓力、溫度等）

硅片是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的核心材料，廣泛應(yīng)用于集成電路、太陽(yáng)能電池、MEMS等領(lǐng)域。硅片（wafer）的生產(chǎn)工藝對(duì)其質(zhì)量、性能和后續(xù)的應(yīng)用至關(guān)重要。硅基集成電路工藝中，硅片的純度、摻雜濃度、晶體結(jié)構(gòu)等參數(shù)會(huì)直接影響到器件的性能。在硅片生產(chǎn)中，最常用的兩種工藝是直拉法（Czochralski，簡(jiǎn)稱CZ法）和區(qū)熔法（Float-……

離子注入過(guò)程就像是一個(gè)高速公路上的投射系統(tǒng)，從離子源開始“起步”，通過(guò)加速和質(zhì)量分離進(jìn)行挑選，經(jīng)過(guò)加速通道達(dá)到高速，然后通過(guò)鏡頭和偏轉(zhuǎn)裝置精準(zhǔn)瞄準(zhǔn)，最終將晶圓作為終點(diǎn)，精準(zhǔn)完成摻雜。離子注入機(jī)（Ion Implanter）的組成如下： 1. 離子源（Ion Source） 離子源是離……

在硅基集成電路生產(chǎn)過(guò)程中，硅片（wafer）是關(guān)鍵材料之一。硅片的直徑和大小在整個(gè)生產(chǎn)工藝中起著至關(guān)重要的作用。硅片的尺寸不僅決定了可以生產(chǎn)的芯片數(shù)量，也對(duì)成本、產(chǎn)能和質(zhì)量有直接影響。 一、硅片尺寸的歷史發(fā)展 集成電路生產(chǎn)的早期，使用的硅片直徑較小。1960年代中期，硅片的直徑通常是25毫米（1英寸……

擴(kuò)散（Diffusion）是晶圓制造過(guò)程中至關(guān)重要的工藝步驟之一，尤其是在半導(dǎo)體制造中，用于摻雜硅基材料。這一過(guò)程是通過(guò)擴(kuò)散將特定的摻雜物（如磷、硼、砷等）引入硅晶圓，以調(diào)整其導(dǎo)電性。 1. 擴(kuò)散的基本原理 擴(kuò)散，是指分子從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域移動(dòng)的過(guò)程。在晶圓制造中，擴(kuò)散的對(duì)象是摻雜物（例如砷、磷或硼等……

1. 硅片制造 高質(zhì)量硅片的生產(chǎn)從單晶硅錠開始，經(jīng)過(guò)多道工藝步驟，包括切片、表面處理和精加工。其中，線鋸切割是將大尺寸的圓柱形硅錠切割成薄片（即硅片）的關(guān)鍵步驟。 線鋸切割是確保硅片具有所需厚度和平整度的關(guān)鍵步驟，同時(shí)還能盡量減少材料損耗和缺陷。這一過(guò)程需要在切割速度、精度和表面質(zhì)量之間找到平衡。 2……

1. 概述 失效分析是確保集成電路和微電子器件可靠性、優(yōu)化制造工藝的重要環(huán)節(jié)。隨著技術(shù)的進(jìn)步，特別是進(jìn)入5nm、7nm等先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)后，器件失效模式變得更為復(fù)雜，要求我們使用各種高精度的分析工具進(jìn)行失效定位和機(jī)理分析。原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope，簡(jiǎn)稱AFM）就是其中一種重要的分析……