1、第三代半導體特性 (1)碳化硅 根據(jù)《中國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)：新材料(第三代半導體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性: ①耐高壓：擊穿電場強度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導通損耗。 ②耐高溫：半導體器件在較高的溫度下……

瀾起科技：成立于2004年，2019年上市，擁有互連類芯片和津逮?服務器平臺兩大產(chǎn)品線。瀾起科技是國際領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理及互連芯片設計公司。 行業(yè)地位：瀾起科技的內(nèi)存接口芯片作為連接CPU和內(nèi)存的“高速公路”,是服務器內(nèi)存模組的必配芯片，已成功進入國際主流內(nèi)存、服務器和云計算領(lǐng)域,產(chǎn)品性能和質(zhì)量受到市場及行業(yè)……

CMOS圖像傳感器根據(jù)感光元件安裝位置，主要可分為前照式結(jié)構(gòu)(FSI)背照式結(jié)構(gòu)(BSI)。 在背照式結(jié)構(gòu)的基礎上，還可以進一步改良成堆棧式結(jié)構(gòu)(Stacked)。堆棧式結(jié)構(gòu)系在背照式結(jié)構(gòu)將感光層僅保留感光元件的部分邏輯電路的基礎上進行進一步改良，在上層僅保留感光元件而將所有線路層移至感光元件的下層，再將兩層芯片疊在一起，芯片的整體面積被極大地縮減。此外，感光元件周圍的邏輯電路也相應移至底層，可有效抑制電路噪聲從而獲取更優(yōu)質(zhì)的感光效果。 采用堆棧式結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器可在同

1. 背景知識 在我們進入超結(jié)MOSFET的細節(jié)之前，我們先了解一些背景知識。 MOSFET，全稱金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor），是一種非常重要的電子元件，廣泛應用于各種電子電路中。它的基本作用是作為一個開關(guān)，……

固態(tài)硬盤組成主要包括主控芯片、NAND 閃存顆粒。其中主控芯片是固態(tài)硬盤的核心器件，負責與整機CPU進行數(shù)據(jù)通信以及NAND 閃存顆粒數(shù)據(jù)管理，廣泛應用于消費電子、服務器、工業(yè)控制等領(lǐng)域。 固態(tài)硬盤主控芯片與其配套固件（FW）一起，實現(xiàn)對固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)管理、NAND壞塊管理、NAND數(shù)據(jù)糾錯、NAND壽命均衡、垃圾……

1、紅外線及紅外成像的概念 光在本質(zhì)上屬于電磁波，根據(jù)波長不同可以分為無線電波、微波、紅外線、可見光、紫外線、X 射線、γ 射線等類型。受人眼自然構(gòu)造形成的視覺性能限制，人類只能對波長在 0.76-0.38 微米波譜段的輻射進行感知，無法通過直接觀察的方式獲取紅外線成像信息。 光電成像技術(shù)是通過光學……

退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，通過控制加熱和冷卻過程，退火能夠緩解應力、修復晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學和機械性質(zhì)。這些改進對于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關(guān)重要的角色。 1. 退火工藝的定義 退火（annealing）是一種熱處理工藝……

硅晶棒切割技術(shù)涉及多個方面的技術(shù)難點，需要綜合考慮機械、材料、熱力學、流體力學等多學科的知識，才能實現(xiàn)高效、高質(zhì)量的硅片切割。 硅晶棒切割是半導體制造過程中至關(guān)重要的一步，其技術(shù)難點主要集中在以下幾個方面： 1. 切割精度 切割硅晶棒需要高度精確，以確保每片硅片的厚度一致。切割過程中的……

光刻機按光源類型可分為五類：I-line光刻機、KrF光刻機、ArF光刻機、ArFi光刻機（即ArF浸沒式光刻機，與ArF光刻機相比在曝光過程中在投影物鏡和晶圓之間放置了一層水膜）、EUV光刻機。按照應用領(lǐng)域可分為IC前道光刻機和IC后道光刻機。其中，IC前道光刻機主要應用于芯片制造，而后道光刻機主要用于芯片封裝。 ……

《黑神話：悟空》是一款國產(chǎn)的單機動作類角色扮演游戲，以西游記為題材。 玩黑神話悟空的電腦最低配置和參數(shù)解釋如下： 最低配置說明：最低配置是指運行某個軟件或游戲時，設備所需的最低硬件和軟件規(guī)格。這意味著，您的電腦至少需要達到這些配置要求，才能正常運行該軟件或者游戲。 1、操作系統(tǒng)……

FinFET技術(shù)在晶圓制造中引入了一種創(chuàng)新的三維晶體管結(jié)構(gòu)，通過增強柵極控制和降低漏電流，實現(xiàn)了更高效的晶體管性能。這對于實現(xiàn)更小、更快、更節(jié)能的半導體器件是至關(guān)重要的。隨著半導體工藝節(jié)點的不斷縮小，F(xiàn)inFET技術(shù)的應用也變得越來越普遍和重要。 1. 背景：傳統(tǒng)平面晶體管的局限性 在傳統(tǒng)的平面金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中，隨著工藝節(jié)點的縮小（比如從90nm到65nm再到更小的節(jié)點），我們遇到了以下技術(shù)挑戰(zhàn)： 短溝道效應：隨著晶體管的柵極長度縮短，柵極對溝道的控制能力減

1. DRAM的基本概念 DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是一種存儲數(shù)據(jù)的半導體器件，廣泛應用于計算機和其他電子設備中。 圖：存儲芯片分類 與SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）不同，DRAM需要周期性地刷新來保持存儲的數(shù)據(jù)，這就是“動態(tài)”的含義。每個DRAM單元……