一、RTL 的基本定義 RTL（寄存器傳輸級(jí)）是數(shù)字電路設(shè)計(jì)中對(duì)硬件功能進(jìn)行抽象描述的一種層次。它的“主角”是寄存器和寄存器之間的數(shù)據(jù)通路，即在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，信號(hào)會(huì)從寄存器輸出，經(jīng)過組合邏輯運(yùn)算，最后進(jìn)入下一級(jí)寄存器。 為什么叫“寄存器傳輸級(jí)” “寄存器”代表……

一、引子 最近拜讀了《DeepSeek-R1: Incentivizing Reasoning Capability in LLMs viaReinforcement Learning》，該論文討論了DeepSeek-R1模型，該模型旨在通過強(qiáng)化學(xué)習(xí)（RL）提升大語言模型（LLM）的推理能力。 二、……

據(jù)韓國媒體報(bào)道，韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士已開始緊急審查其使用的中國半導(dǎo)體電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）軟件，以應(yīng)對(duì)美國可能出臺(tái)的新政策。這些政策可能會(huì)限制韓國半導(dǎo)體公司使用中國軟件，業(yè)界人士透露，SK海力士正在評(píng)估其使用的中國EDA軟件是否符合未來政策要求。 EDA軟件被稱為“芯片之母”，是整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)的基石，EDA幾……

2月5日消息，據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)道，全球第三大陶瓷衛(wèi)浴產(chǎn)品制造商——日本TOTO通過利用其在陶瓷材料領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí)，已經(jīng)在半導(dǎo)體制造所需的“靜電卡盤”（Electrostatic Chucks，或稱E-CHUCK、ESC）市場(chǎng)取得了成功。 ……

2月4日下午，中國國家市場(chǎng)監(jiān)管總局發(fā)布公告稱，“因谷歌公司涉嫌違反《中華人民共和國反壟斷法》，市場(chǎng)監(jiān)管總局依法對(duì)谷歌公司開展立案調(diào)查。” 對(duì)于谷歌具體因哪些行為涉嫌違反《中華人民共和國反壟斷法》，市場(chǎng)監(jiān)管總局并未明確指出。 早在2010年3月，谷歌就因?yàn)樾畔彶榈确矫娴膯栴}，宣布退出……

在半導(dǎo)體制造過程中，使用了多種化學(xué)物質(zhì)，這些物質(zhì)對(duì)人體健康有潛在的危害。 1. Acetone（丙酮） 危害：丙酮在中等至高濃度下會(huì)導(dǎo)致鼻、喉、肺和眼睛的刺激、混亂，甚至昏迷。大量攝入時(shí)可能導(dǎo)致意識(shí)喪失、口腔皮膚損傷。長(zhǎng)期接觸可能導(dǎo)致腎臟、肝臟和神經(jīng)損害，并增加出生缺……

在半導(dǎo)體制造或相關(guān)工業(yè)領(lǐng)域中，Inline 和 Offline 是用來描述設(shè)備或流程是否處于生產(chǎn)系統(tǒng)中的兩個(gè)重要術(shù)語。這些術(shù)語通常用于指代工藝設(shè)備、任務(wù)管理和生產(chǎn)流程的狀態(tài)。 1. Inline Inline 是指某項(xiàng)設(shè)備、工藝或者任務(wù)直接集成到生產(chǎn)系統(tǒng)中，實(shí)時(shí)執(zhí)行和受控于生產(chǎn)系統(tǒng)（如制造執(zhí)行系統(tǒng)，MES）……

MO（Mistake Operation） 是指在集成電路制造過程中，由于人為操作失誤導(dǎo)致的錯(cuò)誤。這類錯(cuò)誤可能發(fā)生在生產(chǎn)工藝的多個(gè)環(huán)節(jié)中，例如設(shè)備操作、數(shù)據(jù)輸入、工藝參數(shù)設(shè)置或產(chǎn)品檢查等。MO 通常不屬于設(shè)備本身的故障，而是因?yàn)槿藶槭韬龌蝈e(cuò)誤判斷而引發(fā)的問題。 MO 的特點(diǎn) 人為因素主導(dǎo)： MO 的發(fā)生主要源于操作人員的失誤，如沒有正確按照操作流程執(zhí)行，

CPK（Process Capability Index） 是制程能力的關(guān)鍵指標(biāo)，用于評(píng)估工藝過程能否穩(wěn)定生產(chǎn)出符合規(guī)格范圍的產(chǎn)品。它通過統(tǒng)計(jì)分析實(shí)際數(shù)據(jù)來衡量制程的中心位置與規(guī)格目標(biāo)的偏離程度，同時(shí)考慮過程的變異情況。換句話說，CPK反映了制程滿足設(shè)計(jì)要求的能力，以及制程的性能穩(wěn)定。 CPK 的計(jì)算公式如下： C P

DeepSeek模型，尤其是其基于MOE（混合專家）架構(gòu)的DeepSeek-V3，對(duì)芯片算力的要求產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。為了更好地理解這一影響，我們可以從幾個(gè)方面進(jìn)行分析。 1.MOE架構(gòu)對(duì)算力的優(yōu)化 MOE架構(gòu)的核心理念是將整個(gè)模型劃分為多個(gè)子模型（專家），每個(gè)子模型負(fù)責(zé)特定的任務(wù)，且在實(shí)際推理時(shí)并非激活所有專家，而是根據(jù)輸入數(shù)據(jù)選擇性激活需要的專家。對(duì)于芯片算力的影響主要體現(xiàn)在以下幾點(diǎn)：

可以將FE比作是一個(gè)“戰(zhàn)地指揮官”，他們直接面對(duì)現(xiàn)場(chǎng)的挑戰(zhàn)，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)解決問題。在工廠或生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)，F(xiàn)E就像是“設(shè)備的醫(yī)生”，時(shí)刻關(guān)注設(shè)備的健康狀況，及時(shí)為設(shè)備“治療”，確保生產(chǎn)的順利進(jìn)行。FE的職責(zé)不僅僅是“修理”問題，還包括“預(yù)防”問題，通過現(xiàn)場(chǎng)的分析與優(yōu)化，減少設(shè)備故障和生產(chǎn)停滯的風(fēng)險(xiǎn)。 1. 定義和角色定位 ……

邊緣芯片（edge die）是指位于晶圓邊緣區(qū)域的芯片，由于晶圓制造過程中的掩模對(duì)準(zhǔn)誤差或晶圓切割等原因，這些芯片可能在設(shè)計(jì)上存在缺陷或尺寸不完整。以下是對(duì)邊緣芯片的詳細(xì)解釋： 1. 邊緣芯片的形成原因 晶圓制造過程中，光刻、沉積、刻蝕等工藝的作用通常會(huì)集中在晶圓的中心區(qū)域，因?yàn)檫@些區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)精度更高、工藝……