老虎說芯

“老虎說芯”由北京大學(xué)微電子專業(yè)本碩，中國電源學(xué)會會員、在半導(dǎo)體行業(yè)有10多年經(jīng)驗的胡獨巍先生撰寫，為大家提供半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)于材料、工藝、應(yīng)用、市場、資訊等方面的內(nèi)容。在知乎有同名賬號。

芯片設(shè)計之功能邏輯仿真

更新日期： 2024-09-11
瀏覽次數(shù)： 1143

Functional Logic Simulation可以看作是芯片設(shè)計的“邏輯驗證”階段，確保設(shè)計功能如預(yù)期工作。它的主要目的是在時序無關(guān)的情況下，確認芯片的邏輯結(jié)構(gòu)是否正確。這個步驟幫助工程師在芯片制造之前，發(fā)現(xiàn)并修正設(shè)計中的邏輯錯誤。

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為啥6寸晶圓用平邊，8/12寸晶圓用notch？

更新日期： 2024-09-11
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最近讀者提問：“6寸晶圓用平邊，8/12寸晶圓用notch，用Notch 比平邊好，為啥6寸還是用平邊”這個問題時，我們可以從晶圓制造、工藝要求、歷史原因和設(shè)備兼容性等多個角度進行分析。

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聊聊晶圓和芯片量產(chǎn)階段的full-mask

更新日期： 2024-09-06
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在集成電路工藝中，“full-mask”是一個關(guān)鍵概念，它涉及到半導(dǎo)體制造過程中掩模版的使用。掩模版是半導(dǎo)體光刻工藝中用于硅片表面圖案化的光學(xué)工具。掩模版上有微小的圖案，這些圖案將通過光刻過程轉(zhuǎn)移到硅片的光刻膠上，從而定義了芯片的功能區(qū)和布線層。

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SOI晶圓的結(jié)構(gòu)、分類、優(yōu)勢、下游應(yīng)用

更新日期： 2024-09-02
瀏覽次數(shù)： 1737

SOI（Silicon-On-Insulator）是一種半導(dǎo)體制造技術(shù)，其中硅晶圓的一部分被絕緣層（通常是二氧化硅）隔離開來，這樣可以有效地減少寄生電容和漏電流，提升器件性能。

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如何理解晶圓制造的良率（Yield）

更新日期： 2024-08-27
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在晶圓制造中，良率的管理和提升是一個復(fù)雜而持續(xù)的過程，需要在工藝、設(shè)計、材料、設(shè)備等多個方面進行綜合的優(yōu)化和管理。通過數(shù)據(jù)的分析、持續(xù)改進的策略、客戶協(xié)同的優(yōu)化，最終實現(xiàn)良率的最大化，提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)線效率。

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晶圓測試與芯片測試有什么不同？

更新日期： 2024-08-19
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晶圓測試（CP）屬于“晶圓級”工藝，數(shù)千顆甚至數(shù)萬顆裸芯片高度集成于一張晶圓上，對測試作業(yè)的潔凈等級、作業(yè)的精細程度、大數(shù)據(jù)的分析能力等要求較高，因此技術(shù)實力較強的測試廠商通過精益生產(chǎn)能夠?qū)崿F(xiàn)更好的效益，拉開與其他對手的差距。

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Semicon半導(dǎo)體工藝：干法刻蝕與濕法刻蝕的區(qū)別和特點

更新日期： 2024-08-16
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半導(dǎo)體制造工藝中的刻蝕是利用物理和(/或)化學(xué)方法有選擇性地從晶圓表面去除不必要材料的過程。刻蝕工藝通常位于光刻工藝之后，利用刻蝕工藝對定義圖形的光阻層侵蝕少而對目標(biāo)材料侵蝕大的特點，從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。刻蝕工藝主要分為干法和濕法兩種。

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3納米制程芯片為什么需要EUV光刻機和多重曝光技術(shù)？

更新日期： 2024-08-16
瀏覽次數(shù)： 1792

晶圓制造工藝是一個非常復(fù)雜的過程，特別是在3納米制程中，挑戰(zhàn)會更加顯著。讓我們一步步來理解EUV（極紫外光刻）多重圖案（Multi-Patterning）技術(shù)在實現(xiàn)圖案分辨率時所面臨的挑戰(zhàn)。

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晶圓制造中的“鳥喙效應(yīng)”（bird beak）

更新日期： 2024-08-16
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集成電路采用LOCOS（Local Oxidation of Silicon）工藝時會出現(xiàn)“鳥喙效應(yīng)”（bird beak），這是一種在氧化硅生長過程中，由于氧化物側(cè)向擴展引起的現(xiàn)象。

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第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底分類、技術(shù)指標(biāo)、生長工藝、產(chǎn)業(yè)鏈、下游應(yīng)用等解析

更新日期： 2024-08-15
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根據(jù)《中國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)：新材料(第三代半導(dǎo)體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性:

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晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的原因

更新日期： 2024-08-15
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在集成電路生產(chǎn)過程中，晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個常見但復(fù)雜的問題。每個環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因，因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每個工藝參數(shù)，尤其是對邊緣區(qū)域的處理，以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。

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